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ESH1B R3G

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Número da peça
ESH1B R3G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
ESH1B R3G.pdf
Total:$0.09203
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$0.09203

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Número da peça
ESH1B R3G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC
Status da Peça
Active
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
100V
Atual - Média Retificada (Io)
1A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
900mV @ 1A
Rapidez
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
15ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
1µA @ 100V
Capacitância @ Vr, F
16pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
DO-214AC, SMA
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
DO-214AC (SMA)
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 175°C

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