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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPU50R1K4CEBKMA1

IPU50R1K4CEBKMA1

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Número da peça
IPU50R1K4CEBKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)		 1pcs
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Número da peça
IPU50R1K4CEBKMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO-251
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
3.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 900mA, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 70µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
8.2nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
178pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO251-3
Pacote / caso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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