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SIA811ADJ-T1-GE3

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Número da peça
SIA811ADJ-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SIA811ADJ-T1-GE3.pdf
Total:$0.21660
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(Em dólares americanos)
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$0.21660

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Número da peça
SIA811ADJ-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 20V 4.5A PPAK SC70-6
Status da Peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
116 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 8V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
345pF @ 10V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
1.8W (Ta), 6.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacote / caso
PowerPAK® SC-70-6 Dual

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