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TSM150P03PQ33 RGG

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Número da peça
TSM150P03PQ33 RGG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
TSM150P03PQ33 RGG.pdf
Total:$0.19010
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Número da peça
TSM150P03PQ33 RGG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CH 30V 36A 8PDFN
Status da Peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
36A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
15 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
29.3nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1829pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
27.8W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-PDFN (3x3)
Pacote / caso
8-PowerWDFN

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