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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single PMV185XN,215

PMV185XN,215

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Número da peça
PMV185XN,215
Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
PMV185XN,215.pdf
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(Em dólares americanos)		 1pcs
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Número da peça
PMV185XN,215
Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
MOSFET N-CH 30V 1.1A TO-236AB
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
1.1A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250 mOhm @ 1.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.3nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
76pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
325mW (Ta), 1.275W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-236AB (SOT23)
Pacote / caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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