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SI5511DC-T1-E3

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Número da peça
SI5511DC-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI5511DC-T1-E3.pdf
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
SI5511DC-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.1nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
435pF @ 15V
Potência - Max
3.1W, 2.6W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-SMD, Flat Lead
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
1206-8 ChipFET™

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