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SIJ800DP-T1-GE3

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Número da peça
SIJ800DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SIJ800DP-T1-GE3.pdf
Total:$0.47740
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(Em dólares americanos)
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$0.47740

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Número da peça
SIJ800DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
20A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
56nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2400pF @ 20V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
4.2W (Ta), 35.7W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / caso
PowerPAK® SO-8

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