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2SJ681(Q)

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Número da peça
2SJ681(Q)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
2SJ681(Q)
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
170 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
700pF @ 10V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
20W (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PW-MOLD2
Pacote / caso
TO-251-3 Stub Leads, IPak

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