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IPB100N04S4H2ATMA1

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Número da peça
IPB100N04S4H2ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPB100N04S4H2ATMA1.pdf
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
IPB100N04S4H2ATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-3-2
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 70µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
7180pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
115W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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