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SF808GHC0G

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Número da peça
SF808GHC0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AB
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SF808GHC0G.pdf
Total:$0.34800
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$0.34800

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Número da peça
SF808GHC0G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AB
Status da Peça
Active
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
600V
Atual - Média Retificada (Io)
8A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1.7V @ 8A
Rapidez
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
35ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / caso
TO-220-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-220AB
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 150°C

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