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SSM6L09FUTE85LF

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Número da peça
SSM6L09FUTE85LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.10260
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.10260

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Número da peça
SSM6L09FUTE85LF
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N/P-CH 30V 0.4A/0.2A US6
Status da Peça
Active
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
400mA, 200mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs
700 mOhm @ 200MA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
1.8V @ 100µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
20pF @ 5V
Potência - Max
300mW
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
US6

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