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JAN1N5811US

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Número da peça
JAN1N5811US
Fabricante
Microsemi
Descrição
DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$9.94840
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(Em dólares americanos)
1pcs
$9.94840

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Número da peça
JAN1N5811US
Fabricante
Microsemi
Descrição
DIODE GEN PURP 150V 6A B-MELF
Status da Peça
Active
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
150V
Atual - Média Retificada (Io)
6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
875mV @ 4A
Rapidez
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
30ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
5µA @ 150V
Capacitância @ Vr, F
60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
SQ-MELF, B
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamento - junção
-65°C ~ 175°C

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