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FGA50N100BNTD2

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Número da peça
FGA50N100BNTD2
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FGA50N100BNTD2.pdf
Total:$8.50000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$8.50000

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Número da peça
FGA50N100BNTD2
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
IGBT 1000V 50A 156W TO3P
Status da Peça
Active
Tipo IGBT
NPT and Trench
Tensão - Colapso do Emissor Coletor (Max)
1000V
Corrente - Coletor (Ic) (Max)
50A
Corrente - Coletor Pulsado (Icm)
200A
Vce (ligado) (Max) @ Vge, Ic
2.9V @ 15V, 60A
Potência - Max
156W
Energia de comutação
-
Tipo de entrada
Standard
Carga do Portão
257nC
Td (ligado / desligado) @ 25 ° C
34ns/243ns
Condição de teste
600V, 60A, 10 Ohm, 15V
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
75ns
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / caso
TO-3P-3, SC-65-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-3P

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