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TPH3206LDGB

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Número da peça
TPH3206LDGB
Fabricante
Transphorm
Descrição
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$10.80000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$10.80000

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Número da peça
TPH3206LDGB
Fabricante
Transphorm
Descrição
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
Status da Peça
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
16A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180 mOhm @ 11A, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.6V @ 500µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.3nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±18V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
760pF @ 480V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
81W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PQFN (8x8)
Pacote / caso
3-PowerDFN

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