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TSM650P02CX RFG

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Número da peça
TSM650P02CX RFG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
TSM650P02CX RFG.pdf
Total:$0.09648
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
TSM650P02CX RFG
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23
Status da Peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.1nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
515pF @ 10V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.56W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
SOT-23
Pacote / caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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