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SQS423EN-T1_GE3

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Número da peça
SQS423EN-T1_GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SQS423EN-T1_GE3.pdf
Total:$0.44821
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(Em dólares americanos)
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$0.44821

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Número da peça
SQS423EN-T1_GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 30V 16A POWERPAK1212
Status da Peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
16A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
21 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
26nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1975pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso
PowerPAK® 1212-8

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