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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPL60R299CPAUMA1

IPL60R299CPAUMA1

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Número da peça
IPL60R299CPAUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPL60R299CPAUMA1.pdf
Total:$1.44000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)		 1pcs
$1.44000

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Número da peça
IPL60R299CPAUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 650V 11.1A 4VSON
Status da Peça
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
11.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299 mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 440µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
22nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1100pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-VSON-4
Pacote / caso
4-PowerTSFN

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