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TK17E65W,S1X

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Número da peça
TK17E65W,S1X
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
TK17E65W,S1X
Fabricante
Toshiba Semiconductor and Storage
Descrição
MOSFET N-CH 650V 17.3A TO-220AB
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
650V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
17.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
200 mOhm @ 8.7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 900µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
45nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1800pF @ 300V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
165W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-220
Pacote / caso
TO-220-3

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