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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSZ16DN25NS3GATMA1

BSZ16DN25NS3GATMA1

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Número da peça
BSZ16DN25NS3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
BSZ16DN25NS3GATMA1.pdf
Total:$0.80867
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(Em dólares americanos)		 1pcs
$0.80867

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Número da peça
BSZ16DN25NS3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
250V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
10.9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 32µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
11.4nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
920pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TSDSON-8
Pacote / caso
8-PowerTDFN

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