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SIR844DP-T1-GE3

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Número da peça
SIR844DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SIR844DP-T1-GE3.pdf
Total:$0.77900
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(Em dólares americanos)
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$0.77900

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Número da peça
SIR844DP-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
25V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
50A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.6V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
90nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3215pF @ 10V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
5W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® SO-8
Pacote / caso
PowerPAK® SO-8

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