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FDD10AN06A0-F085

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Número da peça
FDD10AN06A0-F085
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FDD10AN06A0-F085.pdf
Total:$0.74305
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.74305

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Número da peça
FDD10AN06A0-F085
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 60V 11A D-PAK
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
11A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
37nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1840pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
135W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-252AA
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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