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BS2100F-E2

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Número da peça
BS2100F-E2
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
IC DVR IGBT/MOSFET
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.49840
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.49840

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Número da peça
BS2100F-E2
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
IC DVR IGBT/MOSFET
Status da Peça
Not For New Designs
Configuração Dirigida
Half-Bridge
Tipo de canal
Independent
Número de Drivers
2
Tipo de portão
N-Channel MOSFET
Tensão - fonte
10V ~ 18V
Tensão Lógica - VIL, VIH
1V, 2.6V
Corrente - Saída de pico (fonte, dissipador)
60mA, 130mA
Tipo de entrada
Non-Inverting
Alta Tensão Lateral - Max (Bootstrap)
600V
Tempo de subida / queda (Typ)
200ns, 100ns
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-SOP

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