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BUK9E2R3-40E,127

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Número da peça
BUK9E2R3-40E,127
Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
BUK9E2R3-40E,127
Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
120A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.1V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
87.8nC @ 5V
Vgs (máx.)
±10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
13160pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
293W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
I2PAK
Pacote / caso
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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