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SISA16DN-T1-GE3

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Número da peça
SISA16DN-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.23646
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.23646

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Número da peça
SISA16DN-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET N-CH 30V D-S PPAK 1212-8
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
16A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
47nC @ 10V
Vgs (máx.)
-
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2060pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
-
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PowerPAK® 1212-8
Pacote / caso
PowerPAK® 1212-8

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