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TPUH6J S1G

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Número da peça
TPUH6J S1G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
TPUH6J S1G.pdf
Total:$0.24140
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.24140

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Número da peça
TPUH6J S1G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A
Status da Peça
Active
Tipo de Diodo
Standard
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
600V
Atual - Média Retificada (Io)
6A
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
3V @ 6A
Rapidez
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
45ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
10µA @ 600V
Capacitância @ Vr, F
50pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
TO-277, 3-PowerDFN
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-277A (SMPC)
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 175°C

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