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FDS8960C

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Número da peça
FDS8960C
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FDS8960C.pdf
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(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
FDS8960C
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N/P-CH 35V 7A/5A 8SOIC
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N and P-Channel
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
35V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
7A, 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.7nC @ 5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
570pF @ 15V
Potência - Max
900mW
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-SOIC

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