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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single FQI7N10TU

FQI7N10TU

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Número da peça
FQI7N10TU
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FQI7N10TU.pdf
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Preço de referência
(Em dólares americanos)		 1pcs
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Número da peça
FQI7N10TU
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 100V 7.3A I2PAK
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
7.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
350 mOhm @ 3.65A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 10V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.75W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
I2PAK (TO-262)
Pacote / caso
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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