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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPD78CN10NGBUMA1

IPD78CN10NGBUMA1

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Número da peça
IPD78CN10NGBUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPD78CN10NGBUMA1.pdf
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Número da peça
IPD78CN10NGBUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
13A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
78 mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 12µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
11nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
716pF @ 50V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
31W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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