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IPD60R1K0CEATMA1

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Número da peça
IPD60R1K0CEATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
IPD60R1K0CEATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4.3A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 130µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
13nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
280pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
37W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-252-3
Pacote / caso
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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