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IRF6691TR1PBF

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Número da peça
IRF6691TR1PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
IRF6691TR1PBF
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 20V 32A DIRECTFET
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
32A (Ta), 180A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
71nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
6580pF @ 10V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
DIRECTFET™ MT
Pacote / caso
DirectFET™ Isometric MT

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