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FDB0260N1007L

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Número da peça
FDB0260N1007L
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FDB0260N1007L.pdf
Total:$3.90951
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(Em dólares americanos)
1pcs
$3.90951

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Número da peça
FDB0260N1007L
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
200A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.6 mOhm @ 27A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
118nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
8545pF @ 50V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3.8W (Ta), 250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
D²PAK (TO-263)
Pacote / caso
TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

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