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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single GP1M009A090H

GP1M009A090H

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Número da peça
GP1M009A090H
Fabricante
Global Power Technologies Group, Inc.
Descrição
MOSFET N-CH 900V 9A TO220
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
GP1M009A090H.pdf
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(Em dólares americanos)		 1pcs
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Número da peça
GP1M009A090H
Fabricante
Global Power Technologies Group, Inc.
Descrição
MOSFET N-CH 900V 9A TO220
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
900V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
9A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
65nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2324pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
290W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-220
Pacote / caso
TO-220-3

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