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IPB60R165CPATMA1

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Número da peça
IPB60R165CPATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPB60R165CPATMA1.pdf
Total:$2.46785
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(Em dólares americanos)
1pcs
$2.46785

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Número da peça
IPB60R165CPATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
Status da Peça
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
21A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 790µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
52nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
192W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / caso
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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