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SI3499DV-T1-GE3

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Número da peça
SI3499DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI3499DV-T1-GE3.pdf
Total:$0.47560
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(Em dólares americanos)
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$0.47560

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Número da peça
SI3499DV-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
Status da Peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
5.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
750mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
42nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.1W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
6-TSOP
Pacote / caso
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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