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FDA18N50

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Número da peça
FDA18N50
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FDA18N50.pdf
Total:$3.22000
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(Em dólares americanos)
1pcs
$3.22000

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Número da peça
FDA18N50
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
19A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
265 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
60nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2860pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
239W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-3PN
Pacote / caso
TO-3P-3, SC-65-3

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