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FDC658P

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Número da peça
FDC658P
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.23529
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.23529

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Número da peça
FDC658P
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CH 30V 4A SSOT-6
Status da Peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 5V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
750pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
1.6W (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
SuperSOT™-6
Pacote / caso
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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