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SI5499DC-T1-GE3

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Número da peça
SI5499DC-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI5499DC-T1-GE3.pdf
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
SI5499DC-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 8V 6A 1206-8
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
8V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
36 mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
800mV @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 8V
Vgs (máx.)
±5V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1290pF @ 4V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 6.2W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
1206-8 ChipFET™
Pacote / caso
8-SMD, Flat Lead

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