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SQ2319ES-T1-GE3

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Número da peça
SQ2319ES-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SQ2319ES-T1-GE3.pdf
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(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
SQ2319ES-T1-GE3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
40V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
16nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
620pF @ 25V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
SOT-23-3 (TO-236)
Pacote / caso
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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