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BSZ180P03NS3GATMA1

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Número da peça
BSZ180P03NS3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
BSZ180P03NS3GATMA1.pdf
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.25616

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Número da peça
BSZ180P03NS3GATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Status da Peça
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
9A (Ta), 39.6A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.1V @ 48µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
30nC @ 10V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2220pF @ 15V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.1W (Ta), 40W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TSDSON-8
Pacote / caso
8-PowerTDFN

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