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TSM60N900CH C5G

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Número da peça
TSM60N900CH C5G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
TSM60N900CH C5G.pdf
Total:$0.59220
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
TSM60N900CH C5G
Fabricante
Taiwan Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 600V 4.5A TO251
Status da Peça
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
600V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
4.5A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
900 mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.7nC @ 10V
Vgs (máx.)
±30V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-251 (IPAK)
Pacote / caso
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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