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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single IPA50R650CE

IPA50R650CE

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Número da peça
IPA50R650CE
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPA50R650CE.pdf
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Preço de referência
(Em dólares americanos)		 1pcs
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Número da peça
IPA50R650CE
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220FP
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
500V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
6.1A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
15nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
342pF @ 100V
Recurso FET
Super Junction
Dissipação de energia (máx.)
27.2W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO220-FP
Pacote / caso
TO-220-3 Full Pack

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