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SI4925BDY-T1-E3

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Número da peça
SI4925BDY-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
SI4925BDY-T1-E3.pdf
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(Em dólares americanos)
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$0.56859

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Número da peça
SI4925BDY-T1-E3
Fabricante
Vishay
Descrição
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Status da Peça
Active
Tipo FET
2 P-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
25 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
50nC @ 10V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
-
Potência - Max
1.1W
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-SO

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