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Casa Produtos Produtos de semicondutores discretos Transistores - FETs, MOSFETs - Single BSC039N06NSATMA1

BSC039N06NSATMA1

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Número da peça
BSC039N06NSATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
BSC039N06NSATMA1.pdf
Total:$0.85986
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(Em dólares americanos)		 1pcs
$0.85986

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Número da peça
BSC039N06NSATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 60V 19A TDSON-8
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
60V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
19A (Ta), 100A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.8V @ 36µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
27nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
2000pF @ 30V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TDSON-8
Pacote / caso
8-PowerTDFN

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