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1N8026-GA

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Número da peça
1N8026-GA
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
1N8026-GA.pdf
Total:$208.10000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$208.10000

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Número da peça
1N8026-GA
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
Status da Peça
Obsolete
Tipo de Diodo
Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
1200V
Atual - Média Retificada (Io)
8A (DC)
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1.6V @ 2.5A
Rapidez
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
10µA @ 1200V
Capacitância @ Vr, F
237pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / caso
TO-257-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-257
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 250°C

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