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RW1E025RPT2CR

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Número da peça
RW1E025RPT2CR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Total:$0.07740
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(Em dólares americanos)
1pcs
$0.07740

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Número da peça
RW1E025RPT2CR
Fabricante
ROHM Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CH 30V 2.5A WEMT6
Status da Peça
Not For New Designs
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
2.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
75 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.2nC @ 5V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
480pF @ 10V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
700mW (Ta)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
6-WEMT
Pacote / caso
SOT-563, SOT-666

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