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1N8030-GA

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Número da peça
1N8030-GA
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
1N8030-GA.pdf
Total:$191.01000
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(Em dólares americanos)
1pcs
$191.01000

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Número da peça
1N8030-GA
Fabricante
GeneSiC Semiconductor
Descrição
DIODE SCHOTTKY 650V 750MA TO257
Status da Peça
Obsolete
Tipo de Diodo
Silicon Carbide Schottky
Voltagem - DC Reverse (Vr) (Max)
650V
Atual - Média Retificada (Io)
750mA
Voltagem - Avanço (Vf) (Max) @ If
1.39V @ 750mA
Rapidez
No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo de Recuperação Reversa (trr)
0ns
Corrente - Vazamento Inverso @ Vr
5µA @ 650V
Capacitância @ Vr, F
76pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote / caso
TO-257-3
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-257
Temperatura de funcionamento - junção
-55°C ~ 250°C

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