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PMFPB6532UP,115

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Número da peça
PMFPB6532UP,115
Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
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(Em dólares americanos)
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Número da peça
PMFPB6532UP,115
Fabricante
NXP Semiconductors
Descrição
MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
20V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
3.5A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
70 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
6nC @ 4.5V
Vgs (máx.)
±8V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
380pF @ 10V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
520mW (Ta), 8.3W (Tc)
Temperatura de operação
150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
DFN2020-6
Pacote / caso
6-UDFN Exposed Pad

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