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FCP650N80Z

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Número da peça
FCP650N80Z
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 800V 10A
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FCP650N80Z.pdf
Total:$3.22000
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Preço de referência
(Em dólares americanos)
1pcs
$3.22000

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Número da peça
FCP650N80Z
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET N-CH 800V 10A
Status da Peça
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
800V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
10A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4.5V @ 800µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
1565pF @ 100V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
162W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
TO-220
Pacote / caso
TO-220-3

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