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IPI16CNE8N G

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Número da peça
IPI16CNE8N G
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
IPI16CNE8N G.pdf
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(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
IPI16CNE8N G
Fabricante
Infineon Technologies
Descrição
MOSFET N-CH 85V 53A TO262-3
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
85V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
53A (Tc)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
16.5 mOhm @ 53A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
4V @ 61µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 10V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
3230pF @ 40V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
100W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / caso
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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