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FDFS2P103

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Número da peça
FDFS2P103
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Status sem chumbo / status RoHS
Sem chumbo / RoHS complacente
Ficha de dados
FDFS2P103.pdf
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(Em dólares americanos)
1pcs
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Número da peça
FDFS2P103
Fabricante
ON Semiconductor
Descrição
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
Status da Peça
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Drene para a tensão da fonte (Vdss)
30V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25 ° C
5.3A (Ta)
Voltagem do Drive (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Carga do Portão (Qg) (Max) @ Vgs
8nC @ 5V
Vgs (máx.)
±25V
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
528pF @ 15V
Recurso FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipação de energia (máx.)
900mW (Ta)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de Dispositivo do Fornecedor
8-SOIC
Pacote / caso
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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